山東大學是一所歷史悠久、學科齊全、實力雄厚、特色鮮明,在國內外具有重要影響的教育部直屬重點綜合性大學,是世界一流大學建設高校。近年來山東大學實現了跨越式發展,學校的綜合水平和辦學質量明顯提升,國際影響力顯著增強,F有國家級各類平臺基地26個,教育部人文社會科學重點研究基地4個,部委級平臺51個,另有省級重點實驗室和工程技術研究中心等省級科研平臺150余個。目前有19個學科的學術影響力和貢獻能力進入ESI世界排名前1%,5個學科進入ESI前1‰,與30多個國家和地區的200余所學校簽署了校際合作協議。
一、山東大學人才體系介紹
山東大學始終堅持人才強校戰略,聚焦營造有利于人才成長、發展的最優生態。學校始終以學科發展需要為根本,以尊重人才成長規律為前提,按照“引育并舉、內外并軌、目標導向、動態管理”的原則,構建了“頂尖人才—領軍人才—青年人才—后備人才”四個層次有序銜接的杰出人才體系。該體系立足破除“五唯”,將具有相應水平的人才納入體系進行支持,在經費、薪酬、研究生招生等方面提供全方位服務保障,為不同學科、不同發展階段的人才提供個性化支持,重點鼓勵青年人才脫穎而出,為青年人才打造可持續發展的上升通道。同時,積極為人才爭取山東省各項優惠政策支持,發揮資源疊加優勢,讓青年人才安身、安心、安業。
為實現建設世界一流大學的戰略目標,學校制定了一系列高層次人才引進計劃,人才是第一資源的共識在全校進一步強化,尊重人才、愛護人才、服務人才、成就人才的優良氛圍已基本形成。
二、晶體材料研究院介紹
山東大學的晶體材料研究始于1958年。在創始人蔣民華院士等老一輩晶體人的帶領下,1964年成立晶體生長研究室,1978年成立山東大學晶體材料研究院(晶體院)。1984年組建山東大學晶體材料國家重點實驗室,是我國首批建設的10家國家重點實驗室之一,1987年通過驗收并開放運行。多年來,晶體院人始終秉承“需求牽引,單晶為本,敬業團結,育晶育人”。LAP(L-精氨酸一水磷酸鹽)、KTP(KTiOPO4)等多種功能晶體生長研發蜚聲國內外,居于國際領跑地位,是我國晶體材料研究與發展的一個重要基地。
晶體材料研究院現有80余名研發人員,研究隊伍中具有博士學位的占80%以上,其中國家杰青5名、泰山攀登3名、國家優青4名、優秀青年科學基金項目(海外)5人,齊魯學者20名。我院還擁有山東省第一個國家級創新研究群體。
近年來,實驗室以“四個面向”為指引,改革運行機制,調整研究方向,聚焦于晶體材料創制及生長機理與技術、功率半導體晶體材料及器件、光電功能晶體材料及強激光技術、生物醫用晶體材料及應用等研究方向,順應材料科學與技術的發展趨勢,不斷強化內涵、拓寬領域和充實隊伍。晶體院承擔了包括國家基礎研究計劃“973”項目、國家高技術研究計劃“863”項目、國家重大工程項目、國家科技支撐計劃、“核高基”項目、國家自然科學基金重大、重點項目等一大批重要研究課題,為國家“卡脖子”技術關鍵基礎材料、重大工程關鍵器件提供了不可替代的晶體材料。晶體院已獲得國家發明一等獎、國家科技進步二等獎、國家發明三等獎、教育部科技一等獎和山東省自然科學一等獎以及科技進步一等獎等多項國家和省部級獎勵。
三、項目定位
優秀青年科學基金項目(海外)旨在吸引和鼓勵在自然科學、工程技術等方面已取得較好成績的海外優秀青年學者(含非華裔外籍人才)回國(來華)工作,自主選擇研究方向開展創新性研究,促進青年科學技術人才的快速成長,培養一批有望進入世界科技前沿的優秀學術骨干,為科技強國建設貢獻力量。
四、支持待遇
1.高起點崗位發展:聘任為事業編制長聘教授,博士生導師,通過綠色通道聘任為山東大學杰出中青年學者(第一層次)。
2.具有競爭力的薪酬:年薪一般不低于50萬元,學校提供基礎年薪50萬元(不含單位繳納的社保、公積金等福利)。
3.充足的科研經費保障:300-700萬元(含國家和省撥經費)。
4.優良的工作和生活條件:提供安家及住房補助200萬元(免稅,含國家及山東省補助);根據學校統一安排,可享受優惠價格購買龍山校區住房一套;可申請學校專家公寓優惠租住,或租房補貼1500元/月;符合條件者可額外享受山東省人才引進補貼、屬地購房補貼、生活和租房補貼等,濟南最高可申請25萬元留濟補貼,1500元/月租房補貼,青島可享受人才補助50萬元。
5.更多支持條件:學校充分考慮學科差異,建立薪酬增長機制,不斷提高人才待遇的競爭力;山東大學齊魯醫院、第二醫院等多家附屬醫院為人才提供一流的醫療保健服務;山東大學基礎教育集團為人才子女提供國內領先的基礎教育;協助解決配偶工作;符合條件的人才同時可依托山東大學申報省、市頂尖人才(團隊)創新創業一事一議,申領山東惠才卡,可享受出入境和居留、醫療保健、社會服務等29項綠色通道服務。
五、申報條件
(一)基本條件
1.遵守中華人民共和國法律法規,具有良好的科學道德,自覺踐行新時代科學家精神;
2.出生日期在1983年1月1日(含)以后;
3.具有博士學位;
4.研究方向主要為自然科學、工程技術等;
5.在2023年4月15日前,一般應在海外高校、科研機構、企業研發機構獲得正式教學或者科研職位,且具有連續36個月以上工作經歷;在海外取得博士學位且業績特別突出的,可適當放寬工作年限要求;
6.取得同行專家認可的科研或技術等成果,且具有成為該領域學術帶頭人或杰出人才的發展潛力;
7.申請人尚未全職回國(來華)工作,或者2022年1月1日以后回國(來華)工作。獲資助通知后須辭去海外工作或在海外無工作,全職回國(來華)工作不少于3年。
(以上申報條件以國家基金委發布指南為準)
(二)研究方向與專業領域
晶體材料創制及生長機理與技術、功率半導體晶體材料及器件、光電功能晶體材料及強激光技術、生物醫用晶體材料及應用等研究方向。
限項要求:
執行中央有關部門關于國家科技人才計劃統籌銜接的要求。同層次國家科技人才計劃支持期內只能承擔一項,不能逆層次申請。
六、應聘方式及程序
1.材料提供:應聘者將個人簡歷(個人基本情況、自大學本科以來不間斷的學習和工作經歷、已有科研成果情況等)通過郵件發送至wfei@,郵件請命名為“應聘 姓名 HWYQ ”。
2.收到材料后進行預審。通過初審者,將在兩周內以電話或電子郵件方式發送試講邀請;沒有通過材料初審的,原則上不再專門回復。
聯系人:王老師,0531-88364315
晶體材料研究院
2022年12月16日
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